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首頁歐美晶振MTRONPTI晶振,M6056晶振,VC-TCXO晶振

MTRONPTI晶振,M6056晶振,VC-TCXO晶振

編號：91839692
頻率：10~52MHz
尺寸：3.2*2.5*1.0mm

3225mm體積非常小的進(jìn)口石英晶振器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的...

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　 MTRONPTI晶振,M6056晶振,VC-TCXO晶振.貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
　石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶振晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英SMD晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法.如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)(a、球面的余弦磨量;b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則(曲率半徑公式的計(jì)算).
.

MtronPTI與基礎(chǔ)材料科學(xué)和制造的完全控制垂直整合,為高可靠性高性能互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)定時,公共安全和軍用/航空通信與控制,儀器儀表和能源管理應(yīng)用提供解決方案.基于佛羅里達(dá)州奧蘭多市的設(shè)計(jì),銷售以及在北美,亞洲和歐洲的生產(chǎn)基地,MTRONPTI進(jìn)口晶振是LGL集團(tuán)（NYSE MKT:LGL）的子公司.

型號	符號	M6056
輸出方式	-	Clipped Sine Wave
輸出頻率范圍	fo	10~52MHz
電源電壓	V_CC	+2.85V~+3.15V
頻率公差（含常溫偏差）	f_tol	±1.0ppm
保存溫度范圍	T_stg	-55℃~+105℃
運(yùn)行溫度范圍	T_use	0℃~+70℃ -30℃~+85℃ -40℃~+85℃
消耗電流	I_CC	45mA max. (fo≦170MHz)
待機(jī)時電流（＃1引腳"L"）	I_std	10μA max.
輸出負(fù)載	Load-R	10pF
波形對稱	SYM	45~55% [at outputs cross point]
上升時間下降時間	tr, tf	0.5ns max. [20~80% Output, OutputN]

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的進(jìn)口智能手環(huán)晶振的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

抗沖擊

貼片晶振可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.

化學(xué)制劑/pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解高精度晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.機(jī)械振動的影響,當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動時,比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可小化這種機(jī)械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

耐焊性

加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害振蕩器.如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD晶體.在下列回流條件下,對晶體產(chǎn)品甚至低功耗3225晶振使用更高溫度,會破壞產(chǎn)品特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

MtronPTI晶振集團(tuán)將:不論何時何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對自然資源的保持.MtronPTI晶振集團(tuán)將確保美國進(jìn)口晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.

MtronPTI晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.過去MtronPTI晶振集團(tuán)已經(jīng)針對重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績效的持續(xù)改進(jìn).

美國MtronPTI晶振將:通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).

遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時促進(jìn)這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn).在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護(hù)活動的信息公開.

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